台积电3nm超前背后 关键突破性技术揭秘

在2021年国际固态电路会议的开幕演讲中，全球芯片代工厂台积电（TSMC）董事长刘德音以《揭秘创新未来》为主题，谈及许多引领芯片发展的创新技术。台积电3nm进度超前，有媒体揭露了关键技术。

【台积电3nm超前背后 关键突破性技术揭秘】
在2021年国际固态电路会议的开幕演讲中，全球芯片代工厂台积电（TSMC）董事长刘德音以《揭秘创新未来》为主题，谈及许多引领芯片发展的创新技术。台积电3nm进度超前，有媒体揭露了关键技术。https://t.co/xpE5NfZii3 pic.twitter.com/eCcjH25NkJ

— TimedNews.com （@TimednewsC） February 23, 2021

半导体创新是驱动现代科技进步的关键。刘德音认为，半导体制程微缩脚步并未减缓，集成电路的晶体管密度、性能和功耗仍在持续进步，理想情况下，硬件创新应像编写软件代码一样容易。

刘德音不仅透露了台积电先进3nm工艺的研发进度提前，而且讨论了包括EUV、新晶体管、新材料、芯片封装、小芯片、系统架构等一系列通向未来的突破性半导体技术。在这些技术驱动下，芯片工艺节点路线图能保持每两年大约2倍的能效性能提升。

刘德音在演讲中说，从2018年开始量产的7nm逻辑技术是半导体史上的一个分水岭，标志着当时世界上最先进的半导体技术首次被所有半导体公司广泛使用。这一分水岭时刻带来了跨广泛应用领域的变革产品，包括5G芯片、GPU、网络、游戏和汽车。刘德音特别提到，或许有人认为芯片技术的进步正在放缓，但台积电的产品数据显示，在相同速度或速度增益、相同的功耗和逻辑密度下，功耗降低的速度保持不变。